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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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Motivi da considerare
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
45
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
30
Velocità di lettura, GB/s
12.0
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2190
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
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Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
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