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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
45
Intorno -105% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
22
Velocità di lettura, GB/s
12.0
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3671
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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