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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
45
Intorno -105% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
22
Velocità di lettura, GB/s
12.0
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3179
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
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