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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
45
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
38
Velocità di lettura, GB/s
12.0
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2892
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
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