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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
45
Intorno -80% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
25
Velocità di lettura, GB/s
12.0
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3404
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
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