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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
45
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
32
Velocità di lettura, GB/s
12.0
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3516
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
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