RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
45
Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
29
Velocità di lettura, GB/s
12.0
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2984
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link