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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Differenze
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
45
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
31
Velocità di lettura, GB/s
12.0
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2897
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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