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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
45
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
31
Velocità di lettura, GB/s
12.0
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3125
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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