RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
73
Intorno 38% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
12
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
73
Velocità di lettura, GB/s
12.0
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
1468
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link