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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
16
45
Intorno -181% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.1
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.6
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
16
Velocità di lettura, GB/s
12.0
22.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
18.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3906
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
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Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
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