RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
67
Intorno 33% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
67
Velocità di lettura, GB/s
12.0
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2042
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link