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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
45
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
31
Velocità di lettura, GB/s
12.0
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2713
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
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