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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
45
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
35
Velocità di lettura, GB/s
12.0
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2452
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
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