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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
45
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
30
Velocità di lettura, GB/s
12.0
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3059
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
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Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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