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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
45
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
34
Velocità di lettura, GB/s
12.0
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3527
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
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