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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
45
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
33
Velocità di lettura, GB/s
12.0
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3075
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
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