RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
45
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
36
Velocità di lettura, GB/s
12.0
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2998
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link