RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
45
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
37
Velocità di lettura, GB/s
12.0
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2591
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link