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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
51
Intorno 12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12
9.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
51
Velocità di lettura, GB/s
12.0
9.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2314
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
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