Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    38 left arrow 45
    Intorno -18% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.7 left arrow 12
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.4 left arrow 7.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 12800
    Intorno 2 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    45 left arrow 38
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.0 left arrow 14.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 12.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1939 left arrow 2908
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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