RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
45
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
38
Velocità di lettura, GB/s
12.0
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2908
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link