RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
51
Intorno 12% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
51
Velocità di lettura, GB/s
12.0
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2570
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link