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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
45
Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
29
Velocità di lettura, GB/s
12.0
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2711
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
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