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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Differenze
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
45
Velocità di lettura, GB/s
12.0
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2925
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Confronto tra le RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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