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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
45
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
30
Velocità di lettura, GB/s
12.0
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3140
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
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