RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
67
Intorno 33% latenza inferiore
Motivi da considerare
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
67
Velocità di lettura, GB/s
12.0
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
1798
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link