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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
45
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
31
Velocità di lettura, GB/s
12.0
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3444
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
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