RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
48
Intorno -92% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
25
Velocità di lettura, GB/s
8.9
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3683
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link