RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
48
Intorno -92% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.1
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
25
Velocità di lettura, GB/s
8.9
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2935
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link