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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
48
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
23
Velocità di lettura, GB/s
8.9
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3130
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
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