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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
48
Intorno -85% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
26
Velocità di lettura, GB/s
8.9
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2793
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Lenovo 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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