RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
48
Intorno -60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
30
Velocità di lettura, GB/s
8.9
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3273
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link