RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
48
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
39
Velocità di lettura, GB/s
8.9
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2808
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link