RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
48
Intorno -85% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
26
Velocità di lettura, GB/s
8.9
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3055
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link