RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
48
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.0
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
24
Velocità di lettura, GB/s
8.9
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
1633
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link