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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
52
Intorno 8% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
52
Velocità di lettura, GB/s
8.9
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2182
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
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