RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
48
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.5
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
33
Velocità di lettura, GB/s
8.9
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2588
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link