RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
48
Intorno -78% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
27
Velocità di lettura, GB/s
8.9
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2773
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link