RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
48
Intorno -66% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
29
Velocità di lettura, GB/s
8.9
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3049
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link