RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
48
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
36
Velocità di lettura, GB/s
8.9
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3422
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link