RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
48
Intorno -129% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
21
Velocità di lettura, GB/s
8.9
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3087
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link