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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Inmos + 256MB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Inmos + 256MB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
48
Intorno -60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.5
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
16800
10600
Intorno 1.58 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
30
Velocità di lettura, GB/s
8.9
11.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
16800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2318
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Inmos + 256MB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
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