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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs INTENSO 5641160 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
INTENSO 5641160 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
48
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
23
Velocità di lettura, GB/s
8.9
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2613
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
INTENSO 5641160 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
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