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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
48
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
32
Velocità di lettura, GB/s
8.9
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2307
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
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