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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
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Specifiche tecniche
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
48
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
5.9
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
48
40
Velocità di lettura, GB/s
8.9
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2068
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905428-051.A00LF 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
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Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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