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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
48
Intorno -85% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
48
26
Velocità di lettura, GB/s
8.9
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2290
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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