Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Punteggio complessivo
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Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB

Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 48
    Intorno -85% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14 left arrow 8.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.3 left arrow 5.9
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 10600
    Intorno 1.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    48 left arrow 26
  • Velocità di lettura, GB/s
    8.9 left arrow 14.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    5.9 left arrow 9.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1420 left arrow 2290
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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