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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston KCDT82-MIE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Kingston KCDT82-MIE 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
48
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
38
Velocità di lettura, GB/s
8.9
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2302
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
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