RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston XJV223-MIE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston XJV223-MIE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingston XJV223-MIE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
48
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
39
Velocità di lettura, GB/s
8.9
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
3127
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link