RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
48
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.4
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
40
Velocità di lettura, GB/s
8.9
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2495
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link