RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
48
Intorno -85% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
48
26
Velocità di lettura, GB/s
8.9
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2257
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link